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原标题:美国陆军着眼下一代碳化硅军用高压开关设备

浏览次数:142 时间:2020-01-04

[据军事航空电子网站2013年1月29日报道]mg娱乐娱城官网4355,美国陆军研究人员正在向行业寻求开发最先进的碳化硅半导体功率电子技术,用于下一代高压开关设备。1月28日,陆军发布了一份关于“碳化硅高压功率技术”项目的招标公告,重点关注SiC半导体开关设计、外延材料生长、半导体器件制造和芯片堆栈封装技术。陆军研究人员感兴趣的领域包括增加高效电流密度,采用更大尺寸的芯片堆栈,更高的开关频率,阻断电压大于10000伏。该项目将重点开发SiC高压双极半导体开关,最终单芯片阻断电压在15000V ~24000V,电流负荷10A。这些开关应能在最大导通电流额定值时关闭。美国陆军正在考虑使用一种高等级配置的高压开关,脉冲电压15000V,最小电压10000V,电流峰值30A,频率为35kHz。另一种应用是利用高压开关和二极管控制Marx电源20000V存储电容器的放电,平均电流10A,短路电流100A。陆军希望开发一种封装技术,可提供电压隔离、传热、电流和频率,从而使SiC器件性能摆脱封装局限,尽量减小器件体积。回应日期截止到2月28日。

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