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原标题:美国科瑞公司量产第二代碳化硅场效应管

浏览次数:118 时间:2020-01-04

美国科瑞公司发布第二代碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管,与同等成本的硅器件相比,可以使系统的效率更高、尺寸更小。与该公司上一代MOSFET相比,新一代1200V MOSFET的成本降低一半。如此高的性价比可为原始设备制造商节省系统成本,而且该产品尺寸小、重量轻,可使终端用户提高效率、降低安装成本。 德国弗劳恩霍夫研究所的著名行业专家布鲁诺·伯格表示,“我们已经评估了太阳能电路中使用的科瑞公司第二代SiC MOSFET。该SiC MOSFET具有最高的效率,可使系统以更高的开关频率运行,系统因此可以选用较小的无源元件,特别是电感器。这大幅提高了太阳能逆变器的性价比,并能支撑更小、更轻、更有效的系统。” 在一些高功率应用领域,这些性能优越的新型SiC MOSFET可使所需的额定电流减少50~70%。对于太阳能逆变器和不间断电源来说,在效率提高的同时,尺寸和重量也大为减少;在电机驱动领域,与硅基方案相比,其功率密度和最大扭矩增加一倍以上。其产品范围广泛,甚至包括针对30kW以上高功率电源模块市场的25兆欧器件。 科瑞公司功率与射频部的总经理钦吉斯·巴尔卡斯表示,“基于新的MOSFET平台,我们设计了多个领域的产品。由于第二代SiC MOSFET很快被接受,我们正提前把预生产时的产品运交给几个客户,同时我们也在提高生产线产能”

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